ESPECIFICACIONES:
Tipo de memoria: No volátil
Formato de la memoria: EEPROM
Interfaz de memoria: Paralelo
Tiempo de acceso: 150ns
Voltaje de la fuente: 4.5V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamiento: -40°C ~ 85°C
Tipo de montaje: TH
Encapsulado: 28DIP
DOCUMENTOS:
ICIIPE0010031
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